【ITBEAR科技资讯】10月19日消息，三星，作为全球最大的NAND闪存供应商之一，近日披露了其庞大的V-NAND(或称3D NAND)发展计划的新信息。该公司正式宣布，他们正在如期制造第九代V-NAND闪存，拥有超过300层的结构，这将成为全行业最高层数的3D NAND产品。
三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政培在一篇博客文章中写道：“第九代V-NAND采用双层结构，层数达到业界最高水平，预计明年初将投入批量生产。”
早在8月份就有关于三星研发第九代V-NAND拥有超过300层结构的消息，而且继续采用了三星在2020年首次使用的双层技术。三星如今明确表示，他们的3D NAND有效层数将超越竞争对手，而目前已知SK海力士的下一代3D NAND将具有321层，因此三星的第九代V-NAND层数应会更多。
增加层数将有助于提高三星3D NAND设备的存储密度。该公司预测未来的闪存类型将不仅提高存储密度，还将提高性能。
李政培表示：“三星正在研究下一代具有创新价值的技术，包括一种新的结构，可以最大化V-NAND的输入/输出(I/O)速度。”
目前，尚不清楚三星的第九代V-NAND在性能方面将表现如何，但有理由相信，该公司将利用这种存储器来生产即将推出的固态硬盘，可能会采用PCIe Gen5接口。
至于更长期的技术创新，三星正在努力将单元干扰最小化，减小尺寸，以最大化垂直层数，这将对实现拥有超过1000层的3D NAND以及高度差异化的存储解决方案产生关键影响。
