台积电2nm工艺价格飙升：单片晶圆突破3万美元，竟达4/5nm两倍之多！

【ITBEAR】台积电近日在半导体技术领域取得了显著进展，成功在2nm制程上实现突破，并首次引入GAAFET晶体管技术。此项技术的运用，结合了NanoFlex技术，为芯片设计带来了更高的灵活性。

与现有的N3E工艺相比，N2工艺在维持相同功耗的条件下，性能可提升10%至15%，或在相同运行频率下降低功耗25%至30%。更新工艺还使晶体管密度增加了15%，这无疑是台积电技术实力的一次大展现。

然而，技术进步的同时，生产成本也随之上升。据业界预测，台积电2nm晶圆的单片价格可能将超过3万美元，远高于目前3nm晶圆的价格区间。尽管如此，市场对这一技术突破的期待仍然十分高涨。

从当前的市场趋势来看，台积电在半导体行业的领先地位进一步得到了巩固，而2nm制程技术的成功研发，无疑将为公司未来的发展注入更强大的动力。