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外媒眼中的中国芯片:制造落后5年,HBM差距10年,光刻机呢?

时间:2024-10-09 20:35:47来源:ITBEAR编辑:瑞雪

【ITBEAR】近期,中国在半导体产业的多个领域正加速推进自给自足的步伐,力求减少对外部供应链的依赖。这一战略涵盖了逻辑芯片制造、DRAM内存、HBM内存、NAND闪存,以及半导体设备和材料的研发与生产。

在逻辑芯片制造领域,尽管有观点认为中国与全球领先水平存在约十年的差距,但更多分析倾向于这一差距在3-5年左右。这一评估部分基于华为最新款手机的芯片性能。

DRAM内存方面,中国厂商长鑫已实现LPDDR5技术,相当于全球第六代水平,仅落后一代。然而,在更先进的HBM内存领域,中国据估计落后全球约十年,主要归因于起步较晚。

NAND闪存方面,长存曾推出全球首款200+层3D NAND闪存,技术领先。但因设备受限,目前国产化水平约为160层,与竞争对手存在两代差距。尽管如此,外媒指出,长存的技术基础并未落后,只是受限于设备。

半导体设备方面,中国落后全球约3-5年,而在光刻机技术上,差距被评估为至少15年以上,因为中国尚未掌握浸润式光刻机技术,而ASML已拥有超过20年的相关经验。

外媒总结认为,半导体产业极为复杂,全球尚无国家能实现完全自给。中国虽因外部压力刺激了创新,但在如此复杂的技术生态中,单打独斗的战略面临巨大挑战。中国要实现全产业链自给,仍有漫长道路要走。

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2024-10-18