红旗突破！1700V超高压碳化硅功率器件样件研发成功！

【ITBEAR】红旗宣布成功研发出首款1700V超高压碳化硅功率器件样件，这一技术创新为解决用户充电焦虑和里程焦虑问题提供了有效途径，并为未来“千伏”以上高压架构的实现奠定了基石。

该功率器件采用了国产先进的1700V车规级超高压碳化硅芯片，并结合了高介电强度封装材料和高耐压封装结构等创新技术。测试结果显示，该器件在母线电压高达1200V时仍能保持稳定工作。

这款碳化硅功率器件的设计旨在推动补能系统向超高压平台升级，从而显著缩短充电时间。其高密度元胞并联、短沟道元胞结构以及高通流铜夹互联等先进技术，使得在超高压平台下能够充分展现低损耗与高电流输出的综合性能优势，有效提升了动力系统的功率密度和效率，确保在高压、高温环境下稳定高效运行，为用户带来更为强劲的驾驶体验。

这款碳化硅功率器件还能显著节约整车电耗，提高续驶里程。对于红旗品牌而言，此次研发成功不仅具有重要意义，也为其他汽车制造商提供了新的技术参考。