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美光HBM4内存2026年量产,后续HBM4E将带来定制芯片新变革

时间:2024-12-22 11:16:16来源:ITBEAR编辑:快讯团队

近日,据国际科技媒体Wccftech报道,内存制造商美光科技公司分享了其HBM4及HBM4E项目的最新研发动态,引起了业界的广泛关注。

据悉,美光即将推出的HBM4内存将采用前所未有的2048位接口设计,并计划在2026年步入大规模生产阶段。而更为先进的HBM4E版本,则将在未来几年内面世。HBM4E不仅数据传输速度将超越HBM4,更引人注目的是,它将支持基础芯片的定制化服务,这一创新之举有望为整个存储行业带来全新的发展机遇。

据美光透露,这些定制化的逻辑芯片将由台积电采用先进的生产工艺制造,能够大幅度提升内存的集成度和性能表现。台积电先进的工艺将使美光能够根据客户的特定需求,提供量身定制的存储解决方案。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示,HBM4E的推出将彻底改变存储行业的面貌。他强调,通过结合台积电先进的生产工艺,美光将能够为客户提供前所未有的定制化服务,这不仅将推动美光自身的财务表现,更将引领整个存储行业的创新发展。

目前,HBM4E的开发工作正在顺利进行中,并已与多家客户建立了合作关系。美光预计,不同客户将根据自身需求,采用不同的基础芯片配置。

在技术细节方面,美光的HBM4将采用1β工艺(即第五代10nm技术)生产的DRAM,搭载于2048位接口的基础芯片上。其数据传输速率高达6.4GT/s,理论带宽更是达到了每堆栈1.64TB/s的惊人水平。

美光还透露,针对英伟达Blackwell处理器的8-Hi HBM3E设备已经全面出货,而12-Hi HBM3E堆栈也正在进行严格的测试,并已获得了主要客户的一致好评。Mehrotra表示,尽管美光的12-Hi HBM3E堆栈在功耗上比竞争对手的8-Hi版本低了20%,但其内存容量却提高了50%,性能更是达到了行业领先的水平。

据了解,12-Hi HBM3E堆栈预计将用于AMD的Instinct MI325X和MI355X加速器,以及Nvidia的Blackwell B300系列计算GPU,为AI和HPC应用提供强大的支持。

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