SK海力士近期宣布，其位于利川的半导体工厂M10F已成功完成了生产线转型，标志着公司在高带宽存储器（HBM）领域的又一重大进展。
此次转型涉及将原有的DRAM封装线全面升级为HBM封装线，并顺利通过了所有必要的审批流程。据内部消息透露，为了实现这一转变，公司对部分包装设备进行了更新换代，并对生产材料进行了适应性调整。
在获得消防部门的正式批准后，M10F工厂已于上月末正式启动了大规模HBM生产。这一转变不仅体现了SK海力士对市场需求的敏锐洞察，也展示了其快速响应市场变化的能力。
作为SK海力士扩大HBM产能战略的一部分，M10F的转型只是第一步。公司还计划继续在利川的M10F和清州的M8工厂进行转换投资，并在清州新建M15F工厂。这些举措共同构成了SK海力士在HBM领域布局的重要组成部分。
据了解，M10F工厂此次转型后，SK海力士的HBM产能将从原先的每月12万片晶圆提升至13万片。其中，M10F工厂预计将为HBM提供额外的1万片产能。而随着未来M15F工厂的逐步投产，SK海力士的HBM产能还将进一步提升。
M15F工厂总建筑面积达63000坪，将配备完整的HBM生产流程，包括前处理和后处理功能。预计到今年年底，SK海力士的HBM产能将达到每月16万至17万片，相比去年增加4万至5万片。随着明年上半年M15F和M8工厂产能的逐步释放，SK海力士的HBM产能有望迎来新一轮的增长。
面对持续存在的供给不足问题，SK海力士正不断加大在HBM领域的扩张投资力度。这一系列举措不仅有助于提升公司的市场竞争力，也将为全球存储产业的发展注入新的活力。
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