台积电近期于北美技术论坛上，针对其最新的N2 2nm工艺，分享了关于缺陷率（D0）的进展情况。尽管具体数据未被直接公布，但通过对比不同工艺缺陷率的历史变化趋势，台积电展示了N2工艺在缺陷控制领域取得的显著成就。
据悉，在为期约两个月的试产期间，N2工艺的缺陷率已经与早期的N5/N4工艺持平，甚至在某些方面略胜一筹，并且明显优于更早期的N7/N6以及近期的N3/N3P工艺。回顾过往，N7/N6工艺在试产至量产的过渡期间，缺陷率一度居高不下。而N3/N3P工艺自量产之初，便展现出了比N7/N6更低的缺陷率。N5/N4工艺则自试产阶段起，就保持着较低的缺陷率。若N2工艺能够延续N5/N4的优异表现，其市场前景无疑将极为广阔。
台积电透露，N2工艺之所以能够在缺陷控制方面取得如此显著的进步，很大程度上得益于其首次引入的GAAFET全环绕晶体管技术。这一创新技术相较于传统的FinFET晶体管，在电流控制方面表现出了更为出色的能力，从而有效提升了芯片性能，并降低了缺陷率。目前，距离N2工艺年底的大规模量产，还有两个季度的时间。
台积电还指出，芯片制造的数量和产能规模对于发现和改进缺陷至关重要。在N2工艺的试产阶段，已经流片了大量的芯片，这为快速降低缺陷率提供了坚实的基础。同时，工艺本身的设计优化和技术成熟度也是影响缺陷率的关键因素。通过不断的技术迭代和优化，台积电正朝着更高水平的芯片制造迈进。
