近期，一家名为英伟芯科技的创新企业凭借其在光电异质集成技术领域的突破，引起了业界的广泛关注。这家企业专注于光互连（OIO）产品和红外探测器产品的研发，其核心竞争力在于独特的晶圆级光电异质集成技术。
英伟芯科技所掌握的晶圆级光电异质集成技术，实现了将高性能的III-V材料集成到硅产业链中。这一创新技术结合了硅材料的成本优势、器件面积密度的“摩尔定律”效应，以及光子学的高带宽特性，旨在光互连领域实现前所未有的性能指标。据透露，该技术的带宽密度高达每平方毫米每皮焦耳一万吉比特（10000 Gps/mm²/pJ/b），能耗效率约为每比特1皮焦耳在3.2太比特速率下（1 pJ/b@3.2T），延迟更是低于5纳秒加上传输时间（5ns+TOF），相较于其他竞争技术，具有显著的优势。
英伟芯科技的创始人聂辉，是一位在光电器件领域拥有30年丰富经验的专家。他曾在朗讯贝尔实验室、英特尔等国际知名企业担任技术和管理职务，领导了多个重要项目和初创团队。公司的核心团队成员同样来自英特尔、知名激光雷达公司等行业领军企业，他们在光电器件的研发与量产方面积累了深厚的实践经验。团队曾成功实现从无到有的技术突破，包括100G硅光芯片、高功率面发射激光器（VCSEL）、高灵敏度单光子探测器（SPAD）以及硅光激光雷达芯片等关键技术，并通过大规模量产交付的市场检验。
英伟芯科技的光电融合战略旨在将化合物光电材料纳入“摩尔定律”的发展轨道，通过光电协同设计和制造，利用晶圆级异质集成技术在CMOS产线上制备收发、探测等光芯片，并在晶圆端实现与电芯片的互连。这一战略有望彻底颠覆当前光芯片（化合物材料）的产业生态。
作为本轮投资方，中科创星对英伟芯科技的前景表示高度看好。中科创星认为，光电融合是信息领域的重要发展趋势，特别是在人工智能对传感、通信、计算等方面需求日益增长的背景下，光电异质集成作为可行的技术路线，具有广阔的发展前景。中科创星对英伟芯科技团队在III-V族光芯片、硅光领域的深厚积累以及光电集成领域的成功实践表示赞赏，认为这有助于提升团队在光互连和红外传感领域创新的可行性。英伟芯科技还能与中科创星在光电半导体产业的生态布局形成紧密的上下游协同，并具备扩展应用的巨大潜力。因此，中科创星坚定投资布局，并在加工平台等方面给予英伟芯科技大力支持，期待其为行业贡献卓越的光电异质集成方案。
