在科技领域迎来又一重要时刻，长飞先进武汉基地宣布正式投产，这一里程碑式的进展标志着总投资超过200亿的项目步入实质阶段。5月28日，随着首片晶圆在该基地顺利下线，长飞先进执行董事兼总裁、同时也是长飞先进董事长庄丹难掩激动之情，他表示：“这一时刻不仅是长飞先进发展历程中的一个重要节点，更预示着年产36万片碳化硅晶圆的武汉基地即将全面开启量产新篇章。”
在全球科技竞争日益激烈的当下，第三代半导体，特别是以碳化硅为代表的材料，已成为各国科技战略的核心焦点。其制造技术的提升和产业规模的扩大，对于国家经济和科技的发展具有深远影响。在此背景下，长飞先进于2023年8月与武汉东湖高新区签署了合作协议，共同推进第三代半导体功率器件研发生产基地的建设，进一步扩展公司的产能。
长飞先进武汉基地项目总投资高达200亿，占地面积广阔，达到498亩。项目一期便占据了344亩土地，涵盖了年产36万片的外延厂、同样年产36万片的6寸碳化硅晶圆厂，以及年产6100万个碳化硅功率模块的封测厂。该基地还配备了全产业链实验室，包括材料分析、化学分析、可靠性测试、失效分析、产品特性和产品应用等多个环节，旨在打造一个集车规级芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。
庄丹在接受媒体采访时，对武汉基地的投产表示了高度的期待和信心：“武汉基地首片晶圆的成功下线，为长飞先进开启了全新的发展阶段。这不仅是长飞先进历史上的重要里程碑，也将对中国第三代半导体及新能源汽车产业的发展产生积极影响。”
回顾过去三年，长飞先进在第三代半导体的创业道路上取得了显著成就。公司团队规模不断扩大，员工总数已超过1500人，并成功完成了国际汽车电子行业质量管理及车规级可靠性两大核心标准的认证。同时，公司还在芜湖、武汉两地建立了生产基地，并在上海、深圳设立了销售中心，完成了全面的战略布局。
作为新能源领域的“下一代功率半导体”，碳化硅正迎来前所未有的发展机遇。长飞先进表示，将以武汉基地的投产为新的出发点，继续加大研发投入，提升制造能力和产品竞争力。同时，公司也将与业界同仁携手合作，共同推动以碳化硅为代表的化合物半导体产业集群的发展。
