近期，半导体行业传来重要进展，英飞凌公司宣布其12英寸晶圆上的氮化镓（GaN）生产技术取得了突破性进展，并预计将于2025年第四季度向客户交付首批样品。这一消息标志着英飞凌在GaN半导体领域迈出了关键一步。
英飞凌以其垂直整合制造商（IDM）的身份自豪，强调其生产策略能够带来更高品质的产品、更快的上市速度以及卓越的设计与开发灵活性。这种策略无疑为英飞凌在半导体市场上赢得了更多竞争优势。
在技术层面，英飞凌掌握了在硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）三种关键材料上进行300mm晶圆生产的核心技术。其中，GaN半导体以其高功率密度、快速开关速度和低功率损耗等特点，成为实现电子设备小型化和高效能的关键。例如，GaN半导体能够显著降低智能手机充电器、太阳能逆变器以及工业设备和人形机器人的能耗和发热量。
尤为英飞凌是全球首个成功在现有基础设施上开发出300mm GaN晶圆技术的半导体制造商。与当前主流的200mm晶圆相比，300mm晶圆的生产技术更加先进，效率更高。由于晶圆直径的增大，每片300mm晶圆的芯片产量比200mm晶圆提高了2.3倍，这无疑将大幅提升生产效率。
另一方面，晶圆代工巨头台积电近日传出将退出GaN晶圆代工市场的消息。据台积电向DigiTimes证实，经过深思熟虑，基于市场状况和公司长期战略考量，决定在未来两年内逐步退出GaN晶圆代工业务。台积电表示，正积极与客户沟通，确保在过渡期内顺利完成业务交接，以最大程度减少对市场的影响。
