GlobalFoundries公司表示，其设在德国德累斯顿的Fab1工厂将负责22nm制程工艺的开发，试产以及部分前期量产。不过目前还不清楚 GlobalFoundries的22nm制程会不会放弃原有在28/32nm制程产品上使用的Gate-first HKMG工艺，改用新的工艺进行制作。
据透露，在GlobalFoundries设在纽约州的在建Fab 8厂房正式投入使用之前，德国Fab1工厂将是公司45/40nm以及32/28nm制程产品的主力厂，而Fab8建成后则将主要负责22nm及更高级别制程产品的生产。GlobalFoundries的Fab1工厂是从原属AMD公司的Fab30/Fab36两间厂房合并而来。
目前GlobalFoundries Fab1工厂的主要产品是基于SOI工艺的45nm制程高性能芯片(仅应用了high-k栅极绝缘层，并没有使用金属栅极结构)，不过GlobalFoundries很快便要开始将Fab1的产品制程转向32/28nm SOI制程，在这种32/28nm制程中，仍然使用的是Gate-first工艺。
根据GlobalFoundries公司的计划，Fab1工厂将于今年7月份开始正式量产32nm制程 SOI HKMG产品，而28nm体硅制程 HKMG产品则将于9月底开始导入。这个时间点与另外一家同属IBM芯片制造技术联盟的成员三星计划开始量产28nm制程芯片的日期基本重合。
据GlobalFoundries公司Fab1工厂总经理Udo Nothelfer表示：“我们将在Fab1工厂以及其它场所进行22nm制程产品的研发，试产和前期量产工作。”他并表示尽管目前GlobalFoundries还在积极推进Fab8工厂的兴建进度，但Fab8恐怕无法在2012年下半年之前开始正式投入使用，而按公司的计划，22nm制程产品的推出日期则被定在了这个日期之前。
由于GlobalFoundries隶属于IBM牵头组织的技术联盟，该联盟的成员包括英飞凌，NEC，三星，意法半导体，东芝等厂商，因此Udo Nothelfer所说的“其它场所”应该也包括这些厂商旗下的工厂。
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