11月4日有消息称消息，苹果在今年9月推出了最新一代智能手机iPhone6和iPhone 6 Plus。虽然大受用户欢迎，不过同时也有不少问题出现。iPhone 6 Plus“弯曲门”事件余音未消，又有消息显示iPhone6Plus会频繁死机。
AppleInsider在10月23日报道称，众多用户在论坛发帖抱怨iPhone 6 Plus系统崩溃、或不断重开机的问题，目前还不清楚故障是什么原因。有用户已经因此连续更换了四部iPhone6 Plus。
据韩国媒体报道，这些问题主要发生在128GB版iPhone 6 Plus，可能跟三阶储存单元(TLC)NAND型快闪记忆体(NAND flash)的控制IC有关联，倘若真是如此，苹果也许会展开大规模的召回行动。
TLC flash是一种固态的NANDFlash，每一个快闪媒介单元都能储存3位元的资料，容量为单阶储存单元(SLC)、多阶储存单元(MLC)的两到三倍之多。另外,TLC更为廉价，在读取和写入速度方面，TLC的速度也不如SLC或MLC。
据称，苹果为了节省成本而在128GBiPhone 6 Plus 与其他一些型号使用了TLC。而在此之前，TLC都只用在部分iPad上，而价格更高、稳定度更高的MLC则应用于iPhone。
网上很多报道显示，读取性能差的三星SSD840和840EVO使用了TLC闪存，因此控制器集成电路的问题被认为是导致缺陷的最可能原因。随着对SSD840和840EVO争议的上升，三星不得不升级了固件。部分业界人士认为，倘若TLC真的是iPhone 6 Plus 系统崩溃的主因，那么苹果也许会召回已经出售的所有产品。
但是，对此iFixit表示，iPhone 6 Plus采用的是海力士H2JTDG8UD1BMS，虽然海力士没有标明该NAND的存储器控制TLC还是MLC（只归类为E2NAND 3.0），但实际上其就是16nm NAND MLC Flash Memory（是MLC而不是TLC）。
此外，有苹果内部人士透露，对于iPhone 6 Plus因质量召回说法，完全是虚假的，因为该机完全没有问题，之前苹果论坛出现的反馈，是用户自己操作不当引起。
