日前有消息报道，苹果iPhone7与iPhone7 Plus的A10处理器大单已经交给台积电，而基带芯片将使用高通的MDM9×45 LTE，同样由台积电采用20nm HKMG工艺打造。现在有关于iPhone7s和iPhone7s Plus基带芯片的消息也被曝出。
据台媒The Motley Fool爆料称，iPhone7s和iPhone7s Plus将采用高通的X16基带，这与此前有消息称高通X16 LTE基带将在今年下半年投入商用的消息相符。
曝iPhone7s和iPhone7s Plus采用高通的X16基带
据了解，高通X16基带是高通首个千兆级别的LTE基带芯片，下载速率可达1Gbps，速率相当之快。上传方面支持20MHz载波聚合，64-QAM，最大速率达150Mbps。此外，还支持LTE双卡、LTE广播、VoLTE以及全网通。高通X16基带采用的是三星14nm FinFET工艺制程，暂且不知高通是否会将该基带的部分订单交给台积电来做。
据悉，iPhone7s和iPhone7s Plus的A11处理器采用的是10nm的工艺制程，目前台积电在10nm工艺节点上进展顺利，拿下A11处理器订单的可能性比较大，但三星同样也在快速推进，在满足骁龙830的同时也争取拿下A11处理器的订单。
