如果说2016年手机的关键词是“双摄像头”的话，那么2017年的关键词恐怕就是“涨价”了。在2月4日，小米一纸涨价通知书让很多人措手不及。红米手机价格上调只是今年手机市场价格波动的前奏。早在2016年年底，人民币汇率波动以及上游供应链的供货紧张问题就被频频曝光，红米价格上调就变得可以理解，而且随着2017年的深入，上游供应链的缺货还将持续，涨价已成必然趋势。涨价归涨价，生活要继续，该买的还是得买，哪怕终端制造商一片哀鸿，用户需求还是要满足的，只是想要在2016年更新手上电子设备的用户就要多花点钱了。
小米的涨价通知
2016年涨幅最大的芯片产品莫过于存储芯片，无论是DRAM还是NAND Flash均出现了大幅度上涨，其中DRAM芯片上涨幅度接近一倍，而固态硬盘等NAND Flash产品也涨价超过35%。造成涨价的一个原因是人民币的汇率波动，另外一个原因就是各大半导体厂商在需求转进更先进的制程，造成产能下降，市场供应不足而涨价。在今日，美光和海力士均披露了其2017年的规划与路线图。
美光2017规划路线
在2月3日，美光CEO Mark Durcan宣布退休，美光在制程转进的关键节点更换CEO，是否意味着美光将走进全新的时代?其实存储器价格上涨让美光受益匪浅，净利润从亏损1.7亿美元到赚1.8亿美元，美光能否借此脱离资金泥潭，将技术赶上，对于存储器市场的影响重大。
NAND闪存进展
在2016年，3D NAND闪存开始出货，美光的步伐虽然有点慢，不过同样在2016年 实现了量产，美光量产的是第一代32层堆栈的产品，这一代产品也是美光2017年的出货主力。不过美观方面同时期望在2017年今年9月之前量产第二代64层的3D NAND显存;而第三代的3D NAND显存容量比第二代提升40%。
美光3D NAND研发进展
美光的3D NAND闪存量产虽然比三星晚，不过它们的拥有单颗容量最高容量的384Gb;同时也拥有单位面积密度最高的记录，每平方毫米拥有4.3Gb的容量。除此之外，QLC颗粒的NAND闪存也处于研发之中，不过在短时间不会出现在市场上。
DRAM内存进展
美光在2016年完成了将DRAM制程转进到20nm工艺，而在2017年的第四季度之前还将实现1Xnm工艺的DRAM技术的量产;而他们也同样计划在2017年下半年转入到1Ynm制程工艺;而10nm级的1Znm工艺也将会进入到研发阶段。
美光DRAM技术发展
目前主流的电脑显卡上使用的是GDDR5或者GDDR5X,suiran HBM显存在未来是发展的必然趋势，但是过于昂贵的价格注定在短时间内不会得到大规模应用。在美光方面预计在2017年年度或者2018年年初推出新一代的GDDR6显存。
SK Hynix2017年计划
SK Hynix已经在生产48层的3D NAND Flash(3D-V3)，而她们计划在2017年投产72层的NAND Flash(3D-V4)。与此同时，SK Hynix确认在2017年第二季度开始量产，他们同事计划在2017年年底将单颗容量提升到512Gb。
SK Hynix NAND Flash芯片
DRAM方面，SK Hynix表示他们会在2017年量产10nm class制程的DRAM，实际上该制程并不是我们一般说的10nm工艺，外界猜测可能是18nm的制程工艺。SK Hynix在2Xnm的DRAM制程上落后三星一年半，他们也希望在10nm级别上迎头赶上并拉开与美光的差距。
最近深陷财务麻烦的东芝集团已确定定剥离半导体芯片业务，并出售最高3成的股票变现缓解危机，对其虎视眈眈的有佳能、西部数据等科技公司，还有来自英国、美国等投资企业。最近更是有人爆料SK Hynix已经对东芝进行报价，争取吃下这块“肥肉”。
西部数据密度最大的3D NAND芯片
随着机械硬盘的日渐式微，西部数据急于需求新的出路，他们在去年斥资190亿美元收购闪迪，开始进军固态硬盘、移动存储器市场。在今年年中完成收购之后，西数迫不及待的开始了NAND Flash的研发。
西部数据BiCS 3D NAND Flash
在2月7日，西部数据宣布他们已经开始流片全球最密集的3D NAND闪存芯片，对叠层数达到了64层，每单元存数比从2位增加到3位(从MLC转向TLC)。与西部数据共同开发的东芝将其“垂直3D堆叠技术”成为Bit Cost Scaling，预计在2017年下半年开始量产。
