半导体工艺逼近极限：台积电计划投入巨资开发1nm工艺

【ITBEAR科技资讯】7月28日消息，随着半导体工艺不断深入，制造难度和成本逐渐攀升，摩尔定律面临着物理极限的考验，预计最终将在大约1纳米左右失效，由于量子隧穿难题的出现。然而，各大厂商在纸面上的1纳米工艺仍将成为可能，台积电去年已经着手研发1.4纳米工艺，并计划向更先进的节点迈进。

据ITBEAR科技资讯了解，1.4纳米工艺被视为通往1纳米工艺的桥梁，这也是半导体行业急于追求的目标。根据IMEC欧洲微电子中心的路线图显示，2纳米工艺之后将是1.4纳米工艺，预计在2026年问世，而随后将推出A10工艺，即1纳米工艺，预计在2028年面世。不过，新技术的推出往往存在不确定性，实际量产时间可能比2028年还要晚一些。

值得一提的是，在迈向2纳米及更先进工艺的过程中，EUV(极紫外)光刻技术也将迎来一次重大升级。ASML公司计划在2026年推出High NA技术的下一代EUV光刻机EXE:5000系列，将光刻分辨率从目前的0.33提升至0.55，以进一步推动制程的发展。

然而，这一代EUV光刻机的代价也相当昂贵，售价预计将从目前的1.5亿美元飙升至4亿美元以上，甚至可能继续上涨。对制造商而言，如何控制成本将成为一项严峻的考验。

尽管半导体制造面临着巨大的挑战，但科技公司和制造商仍不断努力突破技术的限制，以满足市场对更高性能、更节能半导体产品的需求。面对未来的不确定性，技术的进步和创新将是推动行业持续发展的关键。