三星电子计划明年推出超300层双层堆栈V-NAND闪存

【ITBEAR科技资讯】8月18日消息，据最新消息报道，三星电子计划在明年推出其第9代V-NAND闪存产品，这款新产品将采用超过300层的双层堆栈架构，为存储技术领域带来了新的突破。

这项计划将使三星在技术进步方面超越了其竞争对手SK海力士。据悉，SK海力士计划在2025年上半年开始量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。不过，早在2020年，三星就已经引入了双层堆栈架构，首次生产出了第7代V-NAND闪存芯片。

这次的创新举措预计将极大地提升存储密度，从而有助于降低固态硬盘的制造成本，为消费者带来更具性价比的存储解决方案。三星的双层堆栈架构技术是在现有的3D NAND堆栈基础上构建新的堆栈，这种方法在提高产量的同时也能够更高效地利用资源。

据ITBEAR科技资讯了解，与竞争对手不同，SK海力士的三层堆栈架构则是在一个3D NAND层上创建三组不同的层，这虽然可以提高产量，但会增加生产步骤和原材料的用量。

有业内人士向《首尔经济日报》透露，三星在推出第9代3D NAND后，有望在第10代产品中采用三层堆栈架构，预计将达到430层。这种技术选择不仅能够确保更高的产量，还可以应对超过400层时可能出现的原材料和成本压力。

在2022年的“2022三星科技日”上，三星提出了雄心勃勃的长期目标，计划在2030年将3D NAND的层数推升至1000层。这一目标显示了三星对于未来存储技术发展的执着追求。