【ITBEAR科技资讯】10月19日消息，三星电子，作为全球最大的NAND闪存供应商之一，正积极推进其V-NAND(又被称为3D NAND)技术的发展，引领着3D NAND技术的未来。最新消息显示，三星计划推出业内层数最多的第九代V-NAND闪存，层级高达超过300层。
三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政培(Lee Jung-Bae)在一篇博客文章中宣布了这一重要消息，他指出第九代V-NAND将采用双层结构，并预计将于明年初开始量产。这一消息早在8月份就曾传闻，当时便有消息称三星正在研发第九代V-NAND，层级将超过300层，依然延续三星自2020年首次采用的双层技术。与目前竞争对手SK 海力士的下一代321层3D NAND相比，三星的第九代V-NAND层数将更多，进一步巩固了三星在3D NAND技术领域的领先地位。
这一层级的提升将使三星能够显著提高其3D NAND设备的存储密度，不仅能够实现更大的存储容量，还将提高性能。李政培表示：“三星还在积极研究下一代技术，包括一种新的结构，能够最大化V-NAND的输入/输出(I/O)速度。”
目前，尚不清楚第九代V-NAND在性能方面的具体表现，但可以预见，三星将利用这一技术来生产即将推出的固态硬盘，可能会采用PCIe Gen5接口，为用户提供更快速的数据传输速度。
此外，长期而言，三星还在努力实现技术创新，致力于降低单元干扰，减小设备尺寸，最大化垂直层数，以实现业内最小的单元尺寸。这些创新将对三星未来的技术愿景产生关键影响，有望推动三星实现拥有超过1000层的3D NAND以及高度差异化的存储器解决方案。【ITBEAR科技资讯】了解到，三星将继续引领3D NAND技术的创新发展，助力存储行业的不断进步。
