【ITBEAR科技资讯】6月17日消息，据韩媒The Elec报道，为满足日益增长的HBM3E内存需求，SK海力士正计划大幅提升其1b nm制程DRAM内存的产能。由于HBM内存对DRAM裸片的消耗量远超传统内存，因此，SK海力士的这一举措有望有效缓解当前HBM内存的供应紧张状况。
该公司已设定明确的生产目标，即到今年年底，将1b nm内存晶圆的投片量提升至9万片，并预计在明年上半年进一步增加至14~15万片。为实现这一目标，SK海力士打算对其位于京畿道利川市的M16内存晶圆厂进行技术升级，引入1b nm生产工艺。
M16厂目前主要生产1y nm DRAM内存。若全面转型至1b nm生产，可能会使SK海力士的1y nm产能从现在的每月12万片晶圆大幅减少到5万片。据ITBEAR科技资讯了解，SK海力士已向半导体设备行业提出对M16晶圆厂进行设备调整和改造的需求，并计划引进必要的沉积、光刻及蚀刻核心设备，以确保生产流程的顺利进行。
尽管受到之前存储行业低迷期的影响，SK海力士在追加投资方面持谨慎态度，但近期相关订单的增长已经超出了上游设备厂商的初步预期，显示出市场对HBM3E内存的强劲需求。此外，公司还计划在2025年11月完成新建的M15X DRAM内存晶圆厂，相关设备的采购订单预计将在2025年初陆续下达。这一系列举措充分展现了SK海力士在DRAM内存市场的雄心壮志及其对未来技术发展的高度期许。
