【ITBEAR】8月13日消息，SK海力士的研究员Seo Jae-Wook在韩国水原当地时间12日举行的学术会议上透露，为了缓解成本压力，公司正考虑转向4F2或3D结构的DRAM内存。
Seo Jae-Wook指出，从1c DRAM开始，EUV光刻的成本急剧上升，现在已经到了需要重新评估这种制造方式经济性的时刻。他进一步提到，SK海力士也在探讨是否应从下一代产品开始，转向采用垂直栅极（VG）或3D DRAM技术。
据ITBEAR了解，Seo Jae-Wook所提到的VG DRAM，即4F2 DRAM，三星电子称其为VCT（垂直通道晶体管）DRAM，这是一种新型的垂直构建单元结构的内存。这种结构的DRAM通过从下到上依次放置源极、栅极、漏极和电容，相较于现有的6F2 DRAM，能够减少约30%的芯片面积。Seo Jae-Wook预计，VG DRAM将在0a nm节点后开始量产。
三星电子、SK海力士、美光这三大原厂即将在2024~2025年推出采用EUV光刻的1c nm DRAM。然而，从下一代1d nm节点开始，先进内存将使用EUV多重曝光技术，这将导致生产流程中EUV光刻环节的成本大幅提升。Seo Jae-Wook表示，通过采用VG或3D DRAM结构，内存的EUV光刻成本可以降低到传统6F2 DRAM的一半以下。不过，他也提到，VG DRAM虽然能在接下来的1~2代工艺中维持较低的光刻成本，但之后EUV成本将再次急剧上升；而3D DRAM路线则需要大规模投资沉积与蚀刻设备。
