近期，三星电子在一场业绩发布会上揭晓了其内存技术的最新进展。据悉，该公司已成功向主要客户交付了第五代高带宽内存HBM3E的改进版本样品，并预计从第二季度开始，将逐步扩大该产品的销售规模。
尽管一季度因尖端半导体出口管制的影响，HBM的销售额触及了低谷，但三星电子对未来充满信心。公司存储业务部的副社长透露，随着新产品的放量上市，预计季度业绩将呈现阶梯式的复苏态势。
同时，三星电子还透露了下半年的重要计划。公司将全力推进第六代产品HBM4的量产工作，并预计在2025年实现规模化销售。针对市场高度关注的定制化HBM，三星正积极与多家客户基于HBM4及第七代HBM4E平台展开合作洽谈，部分定制项目有望在2026年与标准版HBM4同步上市。
从财报数据来看，三星一季度存储业务营收达到了19.1万亿韩元，环比下降了17%，但同比却增长了9%。尽管HBM销售下滑对业绩造成了一定拖累，但服务器用DRAM需求的增长以及NAND采购的回暖为业绩带来了亮点。展望二季度，公司预计DRAM产品价格将迎来复苏，移动端和PC领域的位元增长率有望突破10%，NAND价格的跌幅也将逐渐收窄。
在代工业务方面，三星也坦诚地分享了面临的挑战。受手机、PC市场持续疲软的影响，一季度产能利用率下降导致亏损扩大。然而，通过聚焦2纳米、4纳米高性能计算（HPC）及AI芯片订单，先进制程（5纳米及以下）的订单量实现了环比增长。技术部门进一步透露，2纳米第一代工艺已完成可靠性评估，计划二季度启动量产，并加速推进2纳米第二代及3纳米工艺的优化工作。
