在近期举办的第十七届国际汽车动力系统技术年会上，芯联集成凭借其创新的1500V SiC MOS灌胶模组系列，在众多竞争者中脱颖而出，荣获了“2025年度创新技术”大奖。这一殊荣不仅彰显了芯联集成在车规级功率半导体领域的卓越成就，也反映了市场对其技术实力的高度认可。
作为业界极具影响力的盛会，本次年会由中国汽车工程学会主办，吸引了全球180多家顶尖企业和超过2700位专业代表参与。年度创新技术大奖的评选过程极为严格，由约600位行业专家和产业代表从创新性、应用价值及产业化潜力等多个维度进行评审，并通过现场投票最终确定获奖者。
随着电动汽车技术的不断进步，尤其是电动汽车架构从800V向1000V的加速演进，对电驱系统、功率模组以及SiC芯片的电压耐受能力和功率密度提出了更高要求。芯联集成的1500V SiC MOS灌胶模组系列，正是针对这一市场需求而推出的高性能解决方案。该系列产品搭载了芯联集成已成熟量产的G1.7代系SiC MOS芯片，并采用直接水冷散热的高功率灌胶封装形式，完美满足了客户对高效率、高电压以及低成本的需求。
芯联集成的SiC MOS芯片及模组技术已经全面覆盖650-3300V SiC工艺平台，并在新能源汽车主驱系统市场上取得了显著成绩，出货量稳居亚洲市场前列。2024年，芯联集成的碳化硅业务收入更是突破了10亿元大关，同比增长超过100%，进一步巩固了其在行业内的领先地位。
芯联集成在技术创新方面也不断取得突破。据悉，公司已于2024年成功实现了中国首条、全球第二条8英寸SiC工程批通线，预计2025年下半年即可量产8英寸SiC芯片及模组。这一举措将为客户提供更具市场竞争力的解决方案，进一步推动电动汽车行业的发展。
