2025年，一场聚焦半导体行业前沿技术的盛会——中国国际低温键合3D集成技术研讨会（LTB-3D 2025 Satellite in China），在天津隆重举行。此次研讨会由中国科学院微电子研究所、先进微系统集成协会、西安电子科技大学等机构携手青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司等共同打造，吸引了全球目光。
此次大会，不仅是中国半导体领域的一次盛会，更是低温键合技术全球交流的重要舞台。来自20多个国家的200多位顶尖专家和企业代表齐聚一堂，共同探讨低温键合技术的最新进展和未来趋势。
大会内容丰富，围绕六大主题展开深入研讨，包括表面活化键合、混合键合与3D集成、新型低温键合工艺及材料等。来自世界各地的专家分享了他们的研究成果和经验，其中，日本东京大学及武汉大学等知名学府的教授发表了主旨演讲，为参会者提供了宝贵的学术见解。
产学研的深度结合是此次大会的亮点之一。来自牛津大学、东京大学以及中国科学院微电子研究所的学者和研究人员，通过邀请报告和口头报告的形式，展示了低温键合技术在材料、工艺、器件等领域的最新突破，为参会者带来了前沿的技术视角。
作为此次大会的重要参与者，青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司展示了其在低温键合设备及材料工艺领域的深厚积累。青禾晶元依托自主创新，已在低温键合领域形成了独特的技术优势，并通过与国际顶尖机构及企业的合作，不断完善技术布局，推动产业链协同发展。
在AI算力爆发、先进封装需求增长以及化合半导体材料浪潮的推动下，低温键合技术被视为延续摩尔定律的关键路径。这一技术有望催生新一代异质集成解决方案，为中国半导体产业向高端制造升级提供重要机遇。
青禾晶元表示，未来将继续深耕低温键合技术，致力于提供更高效的解决方案，期待与更多合作伙伴携手，共同推动低温键合技术的创新与应用，为半导体行业的发展注入新的活力。
