高通近日向德国科技媒体ComputerBase证实，其面向Windows on Arm生态的旗舰级处理器平台骁龙X2 Elite Extreme，创新性地融合了台积电两种3纳米级制程工艺。这一技术突破使得该芯片在性能与能效之间实现了微妙平衡，为移动计算设备树立了新的技术标杆。
作为全球首款突破5GHz主频的Arm架构处理器，骁龙X2 Elite Extreme采用18核混合架构设计，其中包含12个Prime性能核心与6个Performance能效核心。特别值得注意的是，两个Prime核心可通过动态加速达到5GHz的峰值频率，这一设计显著提升了单线程性能表现。
为实现这种极致性能与续航的双重优化，高通工程师采取了分体式制程策略：芯片主体采用台积电N3P工艺制造，而负责高频运算的核心模块则应用了允许更高工作电压的N3X工艺。这种组合方式虽然导致N3X工艺部分的漏电流有所增加，但通过精准的工艺分配，成功在峰值性能输出与整体能效控制之间找到了最佳平衡点。
支撑这种创新设计的核心技术是台积电的FinFlex工艺平台，该技术允许在同一芯片设计中灵活组合3纳米制程家族的不同工艺变体。通过这种单芯片多工艺集成方案，高通既保证了高频核心的极致性能释放，又维持了其他核心模块的能效优势，为移动计算设备提供了更灵活的性能调校空间。
行业分析师指出，这种分体式制程应用代表了半导体设计的新趋势。相比传统单一工艺方案，混合制程设计能够更精准地匹配不同计算单元的性能需求，特别适用于需要兼顾瞬时爆发性能与持续续航能力的移动设备场景。
