长江存储或拓展DRAM业务 涉足高带宽存储器领域 拟在武汉建新产线

生成式人工智能技术的爆发式发展，为全球半导体产业注入了强劲增长动能。随着AI算力需求的指数级攀升，高性能计算芯片与高带宽存储器（HBM）的市场规模持续扩张，带动英伟达、SK海力士等国际厂商的财务数据显著提升，行业格局正经历深度调整。

在这场技术变革中，中国存储芯片龙头企业长江存储正酝酿重大战略转型。据行业知情人士透露，这家以3D NAND闪存为核心产品的IDM企业，计划将业务版图拓展至动态随机存取存储器（DRAM）领域，尤其瞄准因AI算力需求激增而快速扩容的HBM细分市场。

作为国内规模最大的NAND闪存制造商，长江存储已构建起覆盖设计、制造、封装测试的全产业链体系。其产品线涵盖3D NAND晶圆、嵌入式存储芯片，以及面向消费级与企业级市场的固态硬盘解决方案，产品广泛应用于5G通信、消费电子、服务器集群及数据中心等关键领域。

多位产业分析师指出，长江存储的转型战略具有显著行业指向性。当前HBM存储器因与AI处理器的高效协同特性，已成为训练大模型的核心硬件基础设施。该公司拟通过技术迁移，将已在NAND领域验证的垂直整合能力复制至DRAM市场，这或将改变全球存储器市场的竞争态势。

最新动向显示，长江存储正在武汉规划新的半导体生产基地，其中部分产能将专门用于DRAM制造。工商登记信息证实，该企业本月已在当地注册成立全资子公司，注册资本达207亿元人民币，为新业务布局提供资金保障。行业观察家认为，此举标志着中国存储产业在突破技术壁垒后，正加速向高端市场发起冲击。