国内知名NAND存储主控企业联芸科技在第四届GMIF2025创新峰会上披露了多款主控芯片的研发进展。总经理李国阳在演讲中表示，随着端侧AI技术加速渗透，存储系统正从传统数据存取工具向智能赋能核心转变，这一趋势推动公司持续突破技术边界。
在PCIe 4.0领域，联芸科技即将推出新一代主控芯片MAP1606。该产品支持3600MT/s闪存接口速率，随机读写性能分别达到1700K IOPS和1500K IOPS。通过架构优化，芯片功耗较前代降低26%，在保持高性能的同时显著提升能效比。
PCIe 5.0赛道上，全球首款支持PCIe 5.0×4通道的"满速"DRAM-less主控MAP1802计划于2025年底量产。这款四通道设计产品将填补市场空白，为高性能存储设备提供核心支持。同时，面向端侧AI场景优化的MAP1808主控芯片已进入研发阶段，旨在满足更高负载的数据处理需求。
嵌入式存储领域取得阶段性突破。UFS3.1主控芯片已启动量产，首款搭载该技术的商用手机预计2026年面市。UFS2.2与UFS4.1主控芯片的研发工作推进顺利，其中UFS4.1将支持更高速的数据传输。在便携存储市场，单芯片移动固态硬盘主控方案完成技术验证，即将进入商业评估阶段。
李国阳特别强调，端侧AI的崛起促使存储系统重构设计逻辑。传统存储的"被动响应"模式正被"主动计算"架构取代，这要求主控芯片具备更强的数据处理能力和更低的延迟表现。联芸科技通过持续技术创新，正在构建覆盖全场景的智能存储解决方案。
