复旦大学周鹏-刘春森团队在二维电子器件领域取得重大突破，成功研发全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片。该成果攻克了新型二维信息器件工程化的核心难题，为新一代存储技术开辟了全新路径。相关研究以《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》为题，在国际顶级期刊《自然》上发表。
团队提出的“长缨（CY-01）架构”创新性地将二维超快闪存器件“破晓（PoX）”与成熟硅基CMOS工艺深度融合。这种模块化集成方案通过高密度单片互连技术，在原子尺度上实现了二维材料与CMOS衬底的精密贴合，芯片良率突破94%。研究团队指出，这一架构不仅解决了二维半导体材料与CMOS集成的兼容性问题，更为传统半导体工艺注入了新的发展动能。
面对大数据与人工智能时代对存储性能的极致需求，传统存储器的速度与功耗瓶颈日益凸显。今年4月，该团队曾在《自然》期刊发布“破晓”二维闪存原型器件，以400皮秒的超高速非易失存储性能，创造了半导体电荷存储领域的新纪录。此次混合架构芯片的诞生，标志着这项基础研究成果正式迈向工程化应用阶段。
研究团队历时五年攻克多项技术难关。二维半导体材料厚度仅1-3个原子层，而CMOS电路表面存在微米级的高度起伏，直接集成会导致材料破裂。团队通过“分离制造-互连集成”的创新路径，将二维存储电路与CMOS控制电路独立制备，再通过微米尺度通孔实现系统级集成。这种跨平台系统设计方法论，包含电路协同设计与接口优化等关键技术，为二维电子器件产业化提供了完整解决方案。
当前集成电路产业以CMOS技术为主导，全球大部分芯片均采用该工艺制造。团队认为，将二维超快闪存器件融入现有CMOS产线，既能加速新技术孵化，又能推动传统工艺升级。实验数据显示，二维器件在存储速度、功耗和集成度方面显著优于现有技术，特别是在3D堆叠应用中展现出巨大潜力。
据介绍，二维半导体材料体系与传统硅基工艺存在本质差异。硅片厚度通常达数百微米，而二维材料仅原子级别厚度。这种材料特性差异导致直接集成面临产线污染风险，全球研究者此前只能在平整原生衬底上加工二维材料。团队通过柔性材料处理与模块化集成方案，成功解决了这一行业共性难题。
产业界对该成果给予高度评价。存储器专家指出，二维器件的天然速度优势可突破现有闪存的技术平衡，预计每年600亿美元的存储市场将因此迎来变革。投资机构分析认为，该技术形成了“科学-工程-系统”的完整闭环，依托成熟CMOS产线可大幅缩短研发周期，降低商业化门槛。
研究团队已规划后续发展路线，计划在3-5年内将技术集成至兆量级水平。通过建立实验基地与产学研合作机制，团队将推动知识产权与IP授权，加速技术向个人电脑、移动终端等消费电子领域的渗透。这项被誉为中国集成电路“源技术”的突破，有望重构存储技术体系，为人工智能、大数据等领域提供更高效的解决方案。
