摩根大通最新研究报告显示，台积电3纳米（N3）制程的产能瓶颈将在2026年前全面显现。尽管通过产线改造与跨厂协作可提升部分产能，但预计仍存在显著供应缺口。报告特别指出，英伟达等主要客户提出的产能需求远超台积电实际供给能力，这种供需失衡将持续影响市场格局。
据供应链消息，英伟达要求台积电将3纳米月产能提升至16万片，但台积电预计到2026年底仅能达到13.5万至14万片。这种差距导致加密货币矿机等次要需求几乎无法获得产能分配，主要客户已提前锁定全部3纳米产能。涉及的产品包括英伟达Rubin芯片、博通TPU v7、苹果C2基带以及联发科与高通的新一代旗舰手机芯片。
为应对产能压力，台积电采取多项调整策略。位于台南的晶圆18厂将把部分4纳米产线转换为3纳米生产，预计每月新增2.5万片产能。而高雄晶圆22厂与新竹晶圆20厂则规划为更先进的N2和A16制程预留空间，暂不用于3纳米扩产。这种资源配置策略反映出台积电对技术迭代节奏的精准把控。
跨厂协作模式成为另一重要突破口。台积电计划在台南科学园区的晶圆14厂，利用闲置的N6/N7产线处理3纳米工艺的后道工序（BEOL）。这种创新安排预计在2026年下半年带来每月5000至1万片的额外产能，有效缓解部分压力。不过美国亚利桑那州Fab 21工厂的投产进度较慢，要到2027年初才能实现月产1万片的目标。
供需失衡带来的市场效应已开始显现。摩根大通调查发现，部分客户为确保订单交付，愿意支付比常规价格高50%至100%的加急费用。虽然这类订单仅占总产能的10%，但对利润的贡献度显著提升。这种"产能稀缺性溢价"现象，推动台积电预计2026年上半年毛利率将突破60%关口。
行业分析师指出，3纳米制程的供需矛盾本质上是先进制程技术迭代与市场需求爆发的双重结果。主要客户提前锁定产能的行为，既反映出对台积电技术实力的信任，也暴露出全球半导体产业链在尖端制程领域的结构性紧张。这种局面或将持续至新一代制程技术实现规模化量产。
