功率半导体领域近期迎来多项技术突破，英飞凌、GE Aerospace及SemiQ Inc三家企业分别在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术上取得重要进展，为电动汽车、可再生能源及工业电力等行业注入新动能。
英飞凌科技股份公司正式推出首款符合汽车电子委员会（AEC）标准的100V车规级氮化镓晶体管系列CoolGaN™ 100V G1。该系列产品已进入预量产阶段，包含高压车规级晶体管及多种双向开关，标志着英飞凌正式进军车规级GaN市场。据公司GaN业务线负责人Johannes Schoiswohl介绍，GaN功率器件相比传统硅基器件具有显著优势：其体积更小、能效更高，且能降低系统成本。在汽车行业向48V系统转型的过程中，基于GaN的功率转换系统可支持线控转向、实时底盘控制等先进功能，显著提升驾乘体验。该系列产品主要应用于区域控制、主DC-DC转换器、高性能辅助系统及D类音频放大器等领域，为车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）和新型气候控制系统提供高效电源解决方案。
GE Aerospace在纽约尼斯卡尤纳研究中心成功演示了第四代碳化硅（SiC）功率MOSFET芯片。这款5毫米×5毫米的芯片提供1200V电压和11mΩ导通电阻，具备行业领先的200°C温度额定值。公司总裁兼总经理Kris Shepherd表示，第四代SiC MOSFET在切换速度、效率和耐用性方面实现飞跃性提升，其性能优势使其在汽车、可再生能源、人工智能数据中心及工业电力等多个行业具有广泛应用潜力。随着混合动力和纯电动车（HEV/BEV）平台对先进半导体技术的需求增长，该器件有望在效率和功率密度方面带来重大突破。
SemiQ Inc推出五款采用SOT-227封装的高性能碳化硅模块，导通电阻（DSon）分别为7.4mΩ、14.5mΩ和34mΩ。这些模块集成肖特基势场二极管（SBD），在高温环境下开关损耗显著低于非SBD模块。产品面向中压高功率转换应用，包括电池充电器、光伏逆变器、服务器电源及储能系统。所有模块均通过晶圆级栅极氧化层烧入测试，电压耐受超过1400伏，并完成800mJ雪崩测试（34mΩ模块为330mJ）。其中，7.4mΩ型号GCMX007C120S1-E1模块实现4.66mJ低开关损耗（3.72mJ导通/0.94mJ关断）和593nC体二极管反向恢复电荷，结到壳热阻范围为0.23°C/W至0.70°C/W。作为美国碳化硅功率半导体专业企业，SemiQ Inc专注高压场景解决方案，产品涵盖分立器件、模块及裸芯片格式的MOSFET和二极管。
