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得一微电子斩获年度AI优秀创新奖,AI存力技术赋能产业智能升级

时间:2025-12-25 15:50:54来源:互联网编辑:快讯

在上海前滩华尔道夫酒店,一场聚焦半导体产业创新发展的盛会圆满落幕。这场由半导体投资联盟与集成电路投资创新联盟联合主办、ICT知识产权发展联盟协办、爱集微承办的“半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼”,吸引了众多业内目光,成为展示前沿技术与创新成果的重要平台。

在众多参评企业中,得一微电子(YEESTOR)凭借其自主研发的AI-MemoryX显存扩展技术脱颖而出,斩获“年度AI优秀创新奖”。该奖项的设立,旨在嘉奖那些在技术原创性与市场竞争力方面表现卓越的AI产品,尤其关注那些填补国内技术空白或实现关键技术替代的突破性成果。得一微电子此次获奖,无疑是对其在AI存力领域持续创新与技术引领能力的高度肯定。

AI-MemoryX显存扩展技术,堪称得一微电子在AI存力领域的一项核心突破。传统大模型训练与微调过程中,显存容量瓶颈一直是制约发展的关键因素。该技术通过系统级创新,成功将单机可用显存容量从传统显卡的几十GB量级提升至10TB级别,极大地缓解了对昂贵高速显存(如HBM)的依赖。这一改变,使得更多企业、科研机构以及独立开发者能够以更低的成本,高效开展大模型训练与微调工作,为AI技术的普及与落地提供了有力支撑。

随着显存资源成本与规模壁垒的打破,AI-MemoryX技术正加速在多个关键领域落地应用。政务、医疗、教育、办公等行业,纷纷借助这一技术实现智能化升级。通过降低技术门槛与成本,AI-MemoryX技术让更多行业能够享受到AI带来的便利与效率提升,推动千行百业向智能化方向迈进。

AI-MemoryX技术的成功,并非孤立存在。它是得一微电子“AI存力芯片”技术路径下的重要实践成果。公司以“AI存力芯片设计,重构计算范式”为使命,围绕存储控制、存算互联与存算一体三大技术支柱展开布局,致力于挖掘每比特数据的潜在智能价值。通过不断优化与升级,得一微电子正逐步构建起一套完整的AI存力技术体系。

在产品布局方面,得一微电子同样展现出强大的实力。公司已构建起覆盖AI手机、AI PC、AIoT、AI汽车及AI Infra基础设施五大终端领域的完整产品矩阵。这一布局,使得得一微电子能够为智慧终端、智能汽车及智算中心提供全场景的AI存力解决方案。通过提升系统级存力,得一微电子助力各行业应对智能化转型过程中日益增长的数据密集型挑战,构建起更具韧性、效率与自主性的存力基座。

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