据韩媒inews24披露，三星电子设备解决方案部（半导体业务板块）掌门人、内存业务负责人全永铉，于当地时间29日向内存业务团队发送内部邮件，明确要求全体成员保持清醒认知，切勿因短期成绩滋生懈怠情绪。
全永铉在邮件中着重强调，当前内存市场虽呈现复苏态势，但三星与行业头部企业的技术差距尚未实质性缩小。他直言："我们仍处在追赶阶段，距离真正的市场领先地位还有相当长的征程。"这位半导体领域资深管理者特别指出，内存产业的竞争本质是技术代际的较量，任何阶段性成果都不应成为放缓研发投入的理由。
针对后续发展策略，全永铉提出三项核心要求：其一，持续优化现有产品线的能效比指标；其二，加速第三代HBM存储芯片的量产进程；其三，在AI芯片专用存储、车规级内存等新兴领域建立技术壁垒。他特别提醒团队注意，竞争对手已在先进封装技术、存算一体架构等方向取得突破，三星必须通过"超常规投入"才能维持市场地位。
内部人士透露，这封邮件的背景是三星半导体部门近期在DRAM和NAND闪存市场占有率出现小幅回升。但全永铉显然更关注技术层面的竞争态势——在最新制程节点上，三星的1β纳米DRAM量产进度落后主要对手约6个月，而HBM3E产品的客户认证通过率也尚未达到行业领先水平。这种技术代差在AI服务器等高端市场正转化为显著的订单差距。
