国际消费电子展（CES）向来是消费电子厂商与芯片巨头同台竞技的舞台。今年，在内存价格大幅攀升、2纳米制程进入量产阶段以及AI技术持续升级等多重因素推动下，芯片领域的动态成为展会核心焦点。从AI芯片的场景拓展到先进制程的竞争，再到存储技术的突破，各大厂商纷纷亮出关键布局，勾勒出半导体产业的新一轮变革图景。
AI芯片的竞争格局正从数据中心向边缘端延伸。英伟达创始人黄仁勋在展会期间提出，AI发展已进入“物理智能”阶段，即从单纯处理数字信息转向与真实世界交互。他指出，新一代智能体框架能够通过思维链推理规划行动步骤，主动调用工具解决未被明确训练过的问题，而非依赖“记忆与生成”的传统模式。这一转变推动了AI芯片向多场景渗透，英特尔、AMD、高通等企业均围绕AI PC、智能座舱、机器人等终端应用推出新品，试图在全场景算力市场中占据主导。
技术迭代方面，英伟达发布的Rubin平台成为亮点。该平台整合六款芯片，通过CPU、GPU、DPU与网络交换器的协同设计，构建出AI超级计算机架构，可显著缩短模型训练时间并降低推理成本。AMD则推出MI455X GPU、Ryzen AI 400系列处理器等产品，并公布未来两年路线图：基于2纳米工艺的MI500系列将于2027年面世，搭载HBM4e内存。英特尔的第三代酷睿Ultra处理器（Panther Lake）采用18A制程（2纳米级），其旗舰型号配备16个CPU核心与50TOPS算力的NPU，多线程性能提升达60%。高通则面向轻薄本市场推出X2 Plus平台，10核版本CPU单核性能较前代提升35%，NPU性能增幅高达78%。
2纳米制程的量产竞赛成为本届展会的技术主线。英特尔宣布18A工艺进入大规模量产阶段，该技术结合全栅极环绕与背面供电设计，使每瓦性能提升超15%，晶体管密度增加30%。台积电已于2025年第四季度启动2纳米（N2）工艺量产，成为首家提供全栅极环绕架构代工服务的厂商，其客户名单虽未公开，但苹果、高通等企业的下一代产品预计将采用该技术。三星则于2025年12月量产基于2纳米GAA工艺的Exynos 2600处理器，不过良率问题仍是其商业化挑战。行业消息称，高通与AMD正在评估三星工艺，特斯拉等AI芯片需求方的订单态度将成为关键变量。
内存价格暴涨引发的技术应对方案成为另一焦点。受AI服务器需求激增影响，三星、SK海力士等厂商将70%产能转向高毛利产品，导致消费级内存供应紧张。2025年DDR4价格半年内涨幅超200%，移动端LPDDR5X涨幅亦超40%。为缓解成本压力，厂商纷纷通过技术升级提升内存效率。SK海力士展示的16层48GB HBM4内存，是12层版本的迭代产品，目前研发按客户需求稳步推进。该公司还推出面向AI服务器的低功耗模组SOCAMM2、端侧AI场景的LPDDR6以及321层2Tb QLC闪存。英伟达RTX 50 Super系列采用GDDR7显存，在提升带宽的同时优化能效；英特尔与AMD则通过Chiplet封装技术实现内存资源灵活分配，为行业提供了应对涨价周期的技术路径。
从制程突破到场景拓展，再到成本博弈，CES展上的芯片动态折射出全球半导体产业的深度重构。在AI军备竞赛与供应链变局的双重驱动下，厂商们正通过技术迭代与生态协同，试图在短期市场波动与长期战略布局间寻找平衡点。
