存储行业领军企业美光科技近日宣布，其位于美国纽约州的巨型晶圆厂项目将于1月16日正式启动建设。这一总投资达1000亿美元的半导体制造基地，不仅是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，更被视为全球存储芯片产业格局重塑的关键布局。
根据规划，该制造中心将分阶段建设四座先进工厂，全部建成后将成为全球技术最领先的存储半导体生产基地。项目首期工程已完成环境评估与行政审批，目前正进行场地清理和铁路支线改造等前期工作。美光方面透露，首座工厂预计2030年投入运营，第二座工厂将于2033年启用，至2045年四座工厂全面竣工时，将直接创造约9000个高科技就业岗位。
这个酝酿已久的项目最初于2022年10月对外公布，原计划2024年中期开工。但因涉及上万页环境评估报告的审查流程，实际动工时间推迟了约18个月。为推进项目进度，美光已制定详细时间表：3月31日前完成全部场地清理，随后启动湿地平整和基础设施配套工程。
当前全球存储芯片市场竞争格局中，美光在特定领域仍面临追赶压力。市场研究机构Counterpoint Research数据显示，2025年第三季度全球HBM（高带宽内存）市场，SK海力士以57%的营收占比稳居首位，三星电子占22%，美光则以21%位列第三。在包含HBM的广义DRAM市场，三家企业份额分别为SK海力士34%、三星电子33%、美光26%。
行业分析师指出，美光此次大手笔投资具有双重战略意义：既通过扩大先进制程产能巩固市场地位，又为人工智能、大数据等新兴领域提供算力支撑。若项目按计划推进，到2030年首座工厂投产时，美光在全球存储市场的份额有望提升至40%，这将使其具备挑战现有行业格局的实力。
值得注意的是，该项目的建设周期横跨二十年，涉及多代技术迭代。美光承诺将采用模块化建设方式，确保每座工厂都能搭载当时最先进的制造工艺。这种长期布局既展现了企业对存储芯片市场的信心，也反映出全球半导体产业向美国本土回归的趋势。
