存储解决方案领域的领军企业铠侠近日宣布，面向客户正式推出新一代UFS 4.1嵌入式存储设备样品。该产品基于第八代BiCS FLASH 3D闪存技术，采用四层单元（QLC）架构设计，通过4-bit-per-cell技术实现更高位密度，可满足移动设备对大容量存储的迫切需求。
性能提升是此次新品的核心亮点。官方测试数据显示，UFS 4.1的顺序写入速度较前代UFS 4.0提升25%，随机读取速度提升达90%。与UFS 3.1标准相比，其顺序读取性能提升至2.1倍，顺序写入性能提升至2.5倍。这种突破性表现得益于控制器技术与纠错算法的协同优化，使QLC架构在保持成本优势的同时，具备与TLC架构竞争的性能实力。
技术整合方面，新品将第八代BiCS FLASH 3D闪存与CBA（CMOS直接键合到阵列）技术深度融合，控制器采用JEDEC标准封装。这种创新组合不仅提升了数据传输效率，还使封装尺寸较上一代QLC UFS产品缩小约18%，从11×13mm缩减至9×13mm，为设备设计预留更多空间。
产品规划包含512GB和1TB两种容量规格，全面兼容UFS 4.0及UFS 3.1标准。这种向下兼容特性确保新品可无缝适配现有设备架构，同时为智能手机、平板电脑、物联网终端及AI设备提供更优存储解决方案。铠侠强调，该产品的推出标志着3D闪存技术向高密度、高性能方向迈出重要一步。
