三星电子近日宣布，其科研团队成功利用单元多层键合（CMB）技术，将两片450层3D NAND闪存芯片堆叠整合，构建出全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型。经测试，该原型的存储单元工作特性已通过验证，标志着半导体存储技术向更高密度迈出关键一步。
将两片450层芯片整合为一片900层结构，相当于将两座“摩天大楼”无缝连接，这对键合工艺的可靠性提出了严苛挑战。三星电子通过自主研发的“上部卡盘”技术，有效解决了晶圆在堆叠过程中因热应力导致的翘曲问题，确保了多层结构的物理稳定性。同时，团队采用新型套刻校正技术，将微细对准误差控制在极小范围内，为超高密度堆叠提供了精度保障。
在电路设计层面，三星对位线（BL）与字线（WL）结构进行优化，不仅降低了芯片整体功耗，还进一步缩小了存储单元尺寸。这一突破使得900层堆叠芯片在保持高性能的同时，具备更强的能效比和集成度，为未来大容量存储设备的研发奠定了基础。
据行业分析，900层3D NAND闪存的问世，将推动固态硬盘（SSD）等存储产品的容量和速度实现质的飞跃。三星电子表示，该技术目前仍处于原型阶段，后续需通过量产工艺验证，但已为半导体存储领域的技术竞争提供了新的方向。
