美光科技在HBM（高带宽内存）领域正加速推进其技术迭代与产能扩张。据行业消息，美光第六代HBM4内存已进入产能爬坡阶段，并计划于明年启动下一代HBM4E标准产品的量产。这一进展得益于美光在先进制程工艺和基础裸片设计上的持续优化。
在5月20日举行的摩根大通投资者会议上，美光全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚透露，HBM4的量产速度已达到去年12层HBM3E产品的两倍，良率提升效率也显著提高。目前，HBM4主要面向英伟达Vera Rubin AI计算平台，其核心裸片采用美光10纳米级第五代1-beta（1β）工艺制造。该工艺已成为美光主力制程，在性能和良率稳定性方面表现突出。
美光技术团队指出，HBM4量产提速的三大关键因素包括：此前HBM3与12层HBM3E量产积累的经验、1β工艺的成熟应用，以及内部优化的基础裸片设计。通过将1β DRAM与自主制造的基础裸片结合，产品性能与质量得到进一步提升。不过，从HBM4E开始，美光将调整生产策略：核心裸片改用10纳米级第六代1-gamma（1γ）工艺制造，这是美光首次引入ASML极紫外光刻设备的工艺节点；基础裸片则交由台积电代工生产。
巴蒂亚表示，HBM4E开发进展顺利，预计明年按计划量产。首批产品将遵循JEDEC标准，同时美光也在开发定制化版本以满足特定客户需求。尽管定制产品成本较高，但美光认为其高性能与多功能特性将赢得强劲市场需求。目前，三星电子与SK海力士也在推进HBM4E研发：三星计划今年第二季度提供样品，基础裸片采用4纳米工艺；SK海力士则计划下半年送样，明年量产，其基础裸片将由台积电以3纳米工艺制造。
在制程工艺布局方面，美光预计到今年年中，基于1γ工艺的DRAM及第九代NAND闪存产品将占公司总位元出货量的一半以上。其中，1γ DRAM有望成为美光晶圆产量规模最大的单一DRAM工艺节点，进一步巩固其在存储芯片领域的技术领先地位。
