三星的HPB散热架构通过在封装内部引入独立热柱，实现热量的高效导出。这些热柱能够从堆叠内部吸收热量，并将其导向封装顶部或侧边的散热器，形成一条清晰的热量外排通道。技术团队特别针对D2D PHY（裸片到裸片物理层）区域进行优化——这一区域是HBM基底芯片与GPU之间的高速连接层，随着堆叠层数增加和运行速度提升，其温度和功耗密度显著上升。三星透露，HPB技术已在HBM4E上完成验证，并计划随HBM5量产全面部署。
在性能参数方面，HBM4E已展现出强劲竞争力。首批12层样品于上月出货，运行速率达14Gbps，未来可扩展至16Gbps，单堆叠带宽高达3.6TB/s。更值得关注的是，三星宣布HBM5基底芯片将采用自家2nm工艺制造，较HBM4/HBM4E的4nm节点实现代际跨越。这一工艺升级不仅有助于降低功耗，还能为内存性能的进一步提升提供空间。
三星Device Solutions总裁兼CTO Song Jai-hyuk强调，随着AI系统向更强大、更紧凑的方向发展，热管理、数据处理效率与封装稳定性已与内存性能同等重要。三星的独特优势在于同时拥有内存制造与逻辑代工业务，这使得HBM5堆叠与2nm基底芯片的整合生产成为可能，形成从设计到制造的全链条控制。
面对同一技术赛道，竞争对手SK海力士选择了不同路径。其iHBM方案通过在D2D PHY层嵌入电绝缘、导热硅冷却元件，直接针对热点区域进行降温，宣称可降低超过30%的热阻。相比之下，三星的HPB更注重建立系统化的热量外排通道，而SK海力士则侧重于局部热点的直接抑制。两种技术路线的竞争，或将推动HBM散热领域进入新一轮创新周期。
