璞璘科技（PRINANO）近日宣布，其联合客户力策科技成功突破光芯片制造技术瓶颈，通过自主研发的真空气压式晶圆级纳米压印（NIL）设备PL-AS，实现了8英寸光芯片晶圆的高良率规模化量产。该方案完全绕开传统DUV光刻技术路径，将芯片制造成本大幅压缩至原有方案的十分之一，为光通信、量子计算等领域提供了一条低成本、高效率的制造新路径。
PL-AS设备采用气压式面施力技术，通过定制化双层压印胶材料体系与核心工艺，在晶圆整面压印过程中实现压力均匀性误差低于0.5%，线宽分辨率突破10纳米级，对准精度可定制至百纳米范围。相较于传统辊压法NIL技术，该设备通过面接触施力方式确保晶圆上每个纳米级单元受力完全一致，将RLT（残余层厚度）偏差控制在2纳米以内，同时吞吐量较步进式佳能NIL设备提升30%以上。
技术突破的关键在于设备架构创新。PL-AS摒弃了DUV光刻所需的光学系统，采用气压式结构配合复合模板技术，不仅简化了设备复杂度，更将模板使用寿命延长至传统方案的5倍以上。据研发团队透露，该设备支持平面与曲面衬底加工，兼容硬质及柔性模板，可覆盖光芯片、MEMS传感器、生物芯片等多领域应用需求。
成本优势的构建源于全链条优化。通过消除对ASML等厂商昂贵光刻机的依赖，PL-AS方案在设备采购、维护及耗材成本上实现指数级下降。配合自主研发的压印胶材料体系，单片晶圆加工成本较DUV方案降低90%，而良率却提升至95%以上。目前，该技术已通过多家头部客户验证，首批8英寸光芯片晶圆已进入量产阶段。
