三星电子副董事长全永铉近日在首尔与英伟达首席执行官黄仁勋举行会晤，双方就芯片制造与内存技术合作达成多项共识。根据会后披露的信息，三星电子代工部门将利用4纳米和8纳米工艺为英伟达生产辅助驾驶芯片，同时参与下一代推理处理器Groq的联合研发。这一合作被视为三星在成熟制程领域扩大市场份额的重要举措。
英伟达目前以Orin和Thor芯片为核心构建辅助驾驶平台，而Groq芯片作为面向推理场景的新一代专用处理器，将成为双方技术协同的重点项目。全永铉特别提到，三星需要为英伟达供应高带宽内存HBM4及服务器用低功耗内存模块SOCAM，其中SOCAM是专为英伟达下一代服务器设计的DRAM解决方案。关于2025年的合作规划，双方已就HBM4E、HBM5及代工产能展开讨论。
面对与SK海力士的竞争格局，全永铉表示三星将以实际成果证明自身实力。黄仁勋则强调，SK海力士作为英伟达最大内存供应商，双方正基于人工智能生态系统整体需求，共同制定产能扩张与产品路线图。这种合作模式既包含技术协同，也涉及供应链优化，旨在应对AI算力需求激增带来的市场挑战。
行业观察人士指出，三星代工部门近期推行"双轨战略"：在先进制程方面争取2纳米客户的同时，通过强化4纳米、8纳米等成熟工艺的市场推广提升产能利用率。据悉，该公司已要求国内外设计公司加大5纳米和8纳米工艺的订单获取力度，英伟达的辅助驾驶芯片项目正是这一战略的关键落子。此举不仅有助于平衡技术投入与产出，还能通过规模化生产降低单位成本。
