中国芯片产业在突破技术封锁的道路上迈出关键一步。杭州璞璘科技与深圳力策科技联合宣布，通过自主研发的真空气压式纳米压印技术，成功实现8英寸光芯片的规模化量产验证。这项创新方案绕开了传统深紫外（DUV）光刻路线，将制造成本压缩至原有方案的十分之一，为受制于ASML光刻机出口限制的国内半导体产业开辟了新路径。
核心突破在于璞璘科技开发的PL-AS真空气压式晶圆级纳米压印光刻设备。该设备采用"空气垫"式面接触压印原理，通过定制化双层压印胶材料体系与核心工艺，在无需使用ASML光刻机的情况下，将晶圆整面压力均匀性误差控制在0.5%以内，残余层厚度偏差小于2纳米，线宽分辨率突破10纳米大关。这种技术路线既支持硬质模板也兼容柔性模板，特别适合光芯片的大规模生产需求。
与传统工艺相比，气压式纳米压印展现出显著优势。相较于辊压技术的线接触模式，新方案彻底解决了压印均匀性不足的行业难题；与佳能的步进式工艺相比，全域一次压印的效率提升数倍。更关键的是，该技术实现了跨尺度微纳结构的一次成型——传统DUV光刻需要多台设备配合完成的复杂结构，现在只需制作单片模板即可完成复刻，生产周期缩短60%以上，良品率损耗降低40%。
量产验证已在光通信、传感和激光雷达等多个领域展开。某激光雷达企业负责人透露，采用纳米压印技术生产的芯片在性能达标的同时，成本下降35%，特别适合自动驾驶等对价格敏感的批量应用场景。但行业专家指出，该技术仍面临三大挑战：量产规模尚未达到百万级晶圆/年，模板生产良率徘徊在85%左右，非光子芯片领域的工艺适配性有待验证。
市场研究机构SemiAnalysis分析认为，纳米压印设备的硬件成本优势明显，但实际综合成本取决于产能利用率、模板更换频率和缺陷控制水平。当前该技术更适合28纳米及以上制程的光芯片生产，短期内难以撼动DUV/EUV在先进逻辑芯片领域的主导地位。璞璘科技尚未公开具体良率数据和客户订单信息，其商业化进程仍需观察。
这项突破折射出中国半导体产业的差异化突围策略。在华为提出"韬（τ）定律"将研发重心转向系统级创新的背景下，多家设备初创企业正在细分领域探索替代方案。璞璘科技创始人葛海雄师从纳米压印技术先驱、美国工程院院士周郁，其团队早在2025年就交付了中国首台半导体级纳米压印设备。此次量产突破标志着该技术从实验室走向产业化的关键转折，为国产半导体设备自主化提供了新的可能性。
