6月13日消息，日前，最高人民法院作出临时禁令复议裁定，维持苏州中院此前判决，正式禁止英飞凌相关氮化镓（GaN）产品在中国境内销售、许诺销售及进口，并驳回英飞凌全部复议请求。
此次复议意味着，这场跨境半导体专利战在中国市场终局落定。
本案起源于2025年初，英诺赛科向苏州中院起诉英飞凌中国子公司及代理商，指控其侵犯两项自主研发的氮化镓核心发明专利，涉及功率半导体关键技术。
2026年5月27日，苏州中院一审宣判，认定英飞凌侵权成立，判令其立即停止相关侵权行为，并赔偿英诺赛科经济损失1000万元。
英飞凌不服并申请复议，最高法经审理于6月12日维持原判，禁令即刻生效。
作为全球氮化镓功率器件龙头，英飞凌与中国本土企业英诺赛科近年在全球多地展开专利拉锯战。
2024年6月，英飞凌在德国慕尼黑法院起诉英诺赛科并获临时禁令，限制其在德销售涉诉产品。
2025年底至2026年5月，美国ITC在337调查中裁定英诺赛科部分产品侵权，但明确其主流在售产品不构成侵权。
此次中国市场禁令，是英诺赛科在全球专利博弈中的关键胜利。
氮化镓作为第三代半导体核心材料，广泛应用于快充、服务器电源、新能源汽车等领域，市场规模高速增长。
业内认为，此次判决将重塑国内GaN功率器件竞争格局，英诺赛科市场份额有望提升。
