花旗研究近日发布报告，对美光科技目标价及盈利预测作出重大调整，将其目标价从840美元大幅上调至1200美元，维持“买入”评级，调幅达43%。与此同时，团队还上调了美光2026财年和2027财年的每股收益预测，分别上调4%和10%，其中2027财年每股收益预测为114.73美元，较市场一致预期高出约4%。
此次上调的核心逻辑在于内存市场价格持续超预期走强。花旗预计，受数据中心需求强劲和供给受限的双重驱动，DRAM平均售价在2026年全年将上涨200%，NAND平均售价同期涨幅也将达到186%，且这一价格上行趋势预计将延续至2027年。截至某日收盘，美光股价报1133美元，新目标价较现价隐含约6%的上行空间。
在近期季度预测方面，花旗同样进行了上调。报告将2026财年第三季度营收及每股收益预测上调6%，第四季度上调5%，第三季度每股收益同比涨幅从1025%上调至1092%，主要依据是更为乐观的定价预期。按最新预测，美光2026财年核心每股收益为60.73美元，2027财年进一步跃升至114.73美元，2028财年则为117.83美元。营收层面，预测美光2026财年营收达1150亿美元，2027财年进一步增至1975亿美元。
利润率的扩张幅度尤为显著，充分体现了内存价格上涨对盈利的高度杠杆效应。花旗预计美光2026财年毛利率将从2025财年的39.8%大幅扩张至76.9%，2027财年进一步升至82.9%。
在现货市场方面，DRAM现货价格已率先反映出供需紧张的态势。数据显示，DRAM现货价格自今年1月初以来累计上涨52%，自4月初以来涨幅亦达22%。目前现货价格较合约价格溢价21%，花旗认为这一价差预示合约价格仍有持续上行空间。按季度拆分，花旗预计DRAM平均售价在2026年第二至第四季度将分别环比上涨37%、13%和11%；NAND平均售价同期各季度涨幅则预计为45%、17%和6%，受强劲需求与供应增长放缓共同支撑。
从供需格局来看，花旗预计2026年全球DRAM市场供给缺口约为5%，且这一供需失衡格局将延续至2027年。报告指出，今年以来DRAM价格上涨主要集中于普通商用DRAM，而非高带宽内存（HBM），预计HBM定价明年将进一步提升，成为下一阶段价格上行的主要驱动力。供给端方面，TrendForce预测2026年DRAM行业整体产出供给增速约为30%，美光自身产出增速预计达42%。花旗还指出，DRAM持续短缺将加速互补性NAND解决方案的采用，例如KV缓存卸载技术，这一趋势有望同时利好纯NAND标的及半导体设备股。报告特别提及Vera Rubin平台因DRAM供给有限出现降规格现象，进一步印证了当前供给瓶颈的现实压力。
尽管前景乐观，但花旗在设定目标价时仍保持谨慎。花旗将目标价设定于修正后2027日历年每股收益的10倍，显著低于美光历史三年峰值估值的17倍。这一折价主要反映当前毛利率处于高位所蕴含的均值回归风险，以及近期Vera Rubin降规格报道带来的供给不确定性。投资者当前关注的核心议题包括：美光更新后的2026至2027年DRAM及NAND供需展望、长期供货协议（LTA）的签署进展——花旗认为戴尔已完成签约。随着美光财报发布日期的临近，管理层在上述议题上的最新表态将对市场预期产生直接影响。
