据韩媒Chosun.biz报道，存储芯片巨头SK海力士正调整其产能布局策略，将第六代高带宽内存HBM4的扩产计划暂缓，转而集中资源提升通用型DRAM的供应能力。这一决策源于当前存储芯片市场供需格局的显著变化——通用型DRAM因供应短缺，盈利能力已反超HBM产品。
作为全球HBM市场的主导者，SK海力士目前在该领域的营收占比已突破40%，但其管理层认为无需继续参与激进的产能竞赛。数据显示，今年第一季度通用型DRAM每Gb售价虽仍低于HBM，但营业利润率已高出至少15个百分点。这种盈利能力的逆转，直接推动了SK海力士的战略转向——公司不仅推迟了部分HBM3E产线升级为HBM4的计划，更明确表示将优先满足高密度服务器模组和移动产品对通用型DRAM的需求。
行业观察人士指出，SK海力士的决策与下游市场需求变化密切相关。英伟达下一代搭载HBM4的Rubin芯片产量预期下调，使得HBM4的短期需求增长放缓。与此同时，竞争对手三星电子通过通用型DRAM已获得远高于HBM的利润，这进一步促使SK海力士重新评估产能分配。公司一季度财报显示，DRAM平均售价同比上涨约65%，验证了市场对通用型产品的强劲需求。
不过，SK海力士的产能调整可能为三星电子创造市场机会。Counterpoint Research数据显示，SK海力士去年第四季度占据57%的HBM市场份额，但随着三星电子计划今年下半年量产HBM4，SK海力士的市场份额可能回落至50%-60%区间。这场存储芯片领域的产能博弈，正随着技术迭代和市场需求变化进入新的阶段。
