近日，科技行业传来一则重磅消息，三星在NAND Flash（闪存）技术领域有了新的规划布局。在2026年IEEE/JSAP VLSI技术与电路研讨会（VLSI Symposium 2026）上，三星向外界展示了更为完整的NAND Flash发展路线图，该研讨会于6月14 - 18日在美国夏威夷举行。
从路线规划来看，三星有着明确且极具挑战性的目标。其计划在2029年达成420层NAND闪存解决方案，到2030年进一步推进至560层以上。而在下一个十年的初期，三星将继续发力，把层数翻倍，迈向1000层以上的产品，这些产品将主要服务于高容量存储场景。
在具体的方案展示中，三星还规划了900至1000层的方案。为实现这一目标，三星打算采用CMB（单元多重键合）连接方式，在一颗芯片内封装2组450层单元。如此一来，原本8 TB的QLC M.2 SSD容量能够大幅提升，最高可达32 TB。
不过，要实现如此高难度的量产并非易事。三星方面表示，主要面临两大障碍，即晶圆翘曲和层间对准误差。为了克服这些问题，三星计划引入Upper Chuck Design方案来有效控制晶圆翘曲，同时借助Overlay Correction（叠对校正）技术来降低错位风险，从而保障量产的顺利进行。
