三星电子在人工智能内存技术领域持续发力，近期在第七代HBM4E高带宽内存及下一代DRAM工艺开发上取得重要突破，为其在AI存储芯片市场的竞争中增添了新的筹码。据半导体行业内部消息，三星电子半导体研究所所长Song Jai Hyuk在近期举行的DS部门经营说明会上透露，HBM4E的可靠性测试良率已突破70%大关，标志着该产品的开发进程正式迈入稳定阶段。
HBM4E作为三星第六代HBM4的升级版，被视为下一代AI加速器的核心组件。根据规划，HBM4E将搭载于英伟达明年发布的"Vera Rubin Ultra"等高端AI加速器中。尽管70%的良率尚未达到行业公认的80%成熟标准，但考虑到产品仍处于开发阶段，这一成绩已被业界视为量产条件加速成熟的积极信号。三星方面表示，主要客户的样品评估工作正在稳步推进，量产开发工作同步顺利开展。
在DRAM工艺领域，三星同样传来好消息。Song Jai Hyuk透露，公司自主研发的10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）在技术竞争力上已领先竞争对手，并计划于今年11月完成生产准备认证（PRA）。PRA是产品量产前的最后一道质量关卡，通过该认证意味着产品将正式进入量产阶段。业内分析认为，D1d工艺的成功开发不仅将提升三星DRAM产品的市场竞争力，还将从第八代HBM5开始全面应用，为后续产品带来连锁性的技术优势。
回顾三星在HBM领域的发展历程，其技术迭代速度令人瞩目。今年2月，三星率先实现HBM4的量产出货；5月29日，公司又公开了HBM4E 12层产品的详细技术规格，并向主要客户发送样品进行评估。这一系列动作表明，三星正通过快速的技术迭代巩固其在AI内存市场的领先地位。HBM4将首先应用于英伟达下半年推出的"Vera Rubin"AI加速器，而HBM4E则瞄准了更高端的市场需求。
