杭州镓仁半导体有限公司近日宣布，其自主研发的全球首条6/8英寸氧化镓同质外延量产线已正式投入运营，并开始向头部芯片企业批量供应产品。这一突破标志着我国在超宽禁带半导体材料领域实现了从实验室到规模化量产的关键跨越，为功率电子器件的国产化替代提供了重要支撑。
在晶体生长环节，该公司独创的铸造法技术突破了传统工艺的局限，成功培育出厚度达行业领先水平的氧化镓单晶。通过配套开发的超薄衬底加工工艺，单片晶圆出片量较传统方法提升3至4倍。更值得关注的是，该技术将贵金属铱的消耗量降低80%以上，使衬底成本下降至原有水平的五分之一，显著缓解了下游器件制造商的材料成本压力。
外延工艺方面，技术团队针对氧化镓（100）晶面的特性，优化了金属有机化学气相沉积（MOCVD）的关键参数，开发出具有自主知识产权的特色工艺。目前量产的6英寸外延片厚度超过10微米，膜厚均匀性控制在1%以内，达到国际先进水平。公司由此成为全球唯一具备6英寸氧化镓同质外延商业化供货能力的企业。
此前，氧化镓材料产业面临晶圆尺寸受限、产能不足、均匀性差等瓶颈，难以满足新能源汽车、智能电网等领域对高性能功率器件的需求。镓仁半导体通过构建"单晶生长-衬底制备-外延生长"的全流程稳定制造体系，不仅实现了6英寸产品的全球首供，更同步布局了8英寸设备的研发。其8英寸氧化镓单晶衬底及外延片已率先完成国际首发，为产业升级预留了技术空间。
据公开资料显示，这家成立于近年间的科技企业，专注于超宽禁带半导体材料与装备的研发创新。其产品矩阵涵盖2-8英寸氧化镓全尺寸单晶衬底、垂直布里奇曼法长晶设备以及配套外延片，其中8英寸相关产品均为全球首次推出。公司正着力打造覆盖设备制造、晶体生长、衬底加工、外延沉积的完整产业链，为第三代半导体材料的国产化提供系统性解决方案。目前，其产品已获得多家海外科研机构及企业的长期订单，产业化进程步入快车道。
