7月7日消息，据报道，为应对台积电与三星即将推出的1.4纳米级芯片技术，英特尔计划在标准的14A工艺基础上，推出一项名为14A2（即14A Gen2）的改良版制程。
针对14A2工艺，英特尔考虑在原定背部供电的基础上，同时保留部分前部供电，形成前后双侧供电方案，以应对更先进制程下互连尺寸进一步缩小带来的技术挑战。
英特尔计划在14A工艺中采用名为PowerDirect的背部供电技术，将供电网络转移至晶圆背面。在作为半节点升级版本的14A2工艺上，英特尔计划进一步缩小最低金属互连层M0间距。
目标是从14A的约28纳米压缩至约21纳米，以提升晶体管密度并提高High-NA EUV光刻设备的经济性。
按照路线图，英特尔计划于2026年10月向外部客户提供14A工艺0.9版本工艺设计套件，随后争取在18个月内获得大型无晶圆厂芯片设计企业的订单。2028年启动风险试产、2029年实现量产。
与此同时，台积电A14晶圆厂预计2027年底试产、2028年下半年量产。三星则计划2029年量产1.4纳米工艺。三巨头将在1.4纳米节点正面交锋。
