为在1.4纳米级芯片技术竞争中占据主动，英特尔正加速推进其制程工艺升级计划。针对台积电与三星即将推出的同级别技术，该公司决定在现有14A工艺基础上开发改良版本14A2（14A Gen2），通过多项技术创新应对更先进制程带来的技术挑战。
在供电架构方面，英特尔计划突破传统单侧供电模式，在14A2工艺中采用前后双侧供电方案。该方案在保留前部供电的同时，结合已应用于14A工艺的PowerDirect背部供电技术，将供电网络转移至晶圆背面。这种复合供电设计旨在解决互连尺寸缩小导致的供电稳定性问题，为晶体管密度提升提供保障。
金属互连层优化是14A2工艺的另一核心突破。英特尔工程师计划将最低金属互连层M0的间距从14A工艺的28纳米压缩至21纳米，通过缩小线宽提升晶体管集成度。这项改进不仅能显著提高芯片性能，还能增强High-NA EUV光刻设备的生产经济性，降低单位芯片制造成本。
根据技术路线图，英特尔将于2026年10月向客户交付14A工艺0.9版本设计套件，目标在18个月内获得大型无晶圆厂企业的订单。风险试产定于2028年启动，2029年进入量产阶段。这一时间表与竞争对手形成直接对标：台积电A14工厂预计2027年底试产、2028年下半年量产；三星则计划2029年实现1.4纳米工艺量产。
行业分析指出，三家芯片巨头在1.4纳米节点的竞争将重塑半导体产业格局。英特尔通过半节点升级策略缩短研发周期，台积电凭借晶圆厂建设进度保持领先，三星则依托垂直整合模式寻求突破。这场技术竞赛不仅考验企业的研发实力，更涉及设备供应商、材料企业等产业链的协同配合。
