国产DRAM领军企业长鑫科技正式启动科创板IPO进程，其招股意向书及初步询价公告显示，公司将于2026年7月16日同步开启网下与网上新股申购，网上申购代码设定为"787825"。此次发行采用战略配售、网下发行与网上发行相结合的模式，拟初始公开发行66.88亿股，占发行后总股本比例约10%。其中战略配售数量达33.44亿股，占发行总量的半数。
根据财务预测，若以2026年净利润1000亿元为基准，按20倍市盈率计算公司市值将突破2万亿元，30倍市盈率估值则有望冲击3万亿元。作为科创板"预先审阅"改革首单试点项目，长鑫科技从受理到注册生效仅用165天，刷新国内大型硬科技企业IPO审核速度纪录。其证券代码确定为"688825"，募资规模达295亿元，创下科创板历史新高。
公司核心业务覆盖DRAM全产业链，自2016年成立以来实施"跳代研发"战略，成功实现四代工艺技术平台的量产迭代。产品矩阵从DDR4扩展至DDR5，从LPDDR4X升级至LPDDR5/5X，技术指标达到国际先进水平。Omdia数据显示，2025年第四季度长鑫科技全球市场份额已达7.67%，较年初提升3.2个百分点，在三星、SK海力士、美光占据90%以上市场的格局中逐步突围。
财务表现呈现爆发式增长态势，2025年一季度实现营业收入508亿元，同比激增719.13%；净利润247.62亿元，同比增长1688.3%。公司预计2026年上半年营收将达1100-1200亿元，净利润500-570亿元，同比增幅均超过20倍。业绩跃升主要得益于DRAM价格持续上涨及产能利用率提升，当前产线已接近满负荷运转。
募投项目聚焦技术升级与产能扩张，包括存储器晶圆制造量产线改造、DRAM技术迭代及前瞻技术研发三大方向。国联民生证券分析指出，AI算力需求激增推动全球存储行业进入扩产周期，长鑫科技现有产能与海外巨头存在显著差距，但多基地布局已全面展开。Semianalysis预测其2028年全球市占率有望提升至17%，扩产空间广阔。
产业链传导效应将分阶段显现：初期前道设备采购将带动刻蚀、薄膜沉积等核心环节需求；中期订单向上游零部件延伸，真空、射频等配套领域迎来机遇；后期材料耗材需求随产线爬坡持续释放。爱建证券强调，公司作为国产DRAM绝对龙头，具备全产业链优势，在行业高景气周期中，产能扩张与技术迭代将形成良性互动。
全球存储市场正经历历史性变革，IDC数据显示，2025年全球DRAM营收突破1500亿美元后，2026年预计增至5607亿美元，NAND营收也将从671亿美元跃升至2890亿美元。国信证券认为，海外厂商聚焦高附加值服务器市场，为国内企业创造替代机遇。随着长鑫科技登陆资本市场，国产存储产业链有望加速形成利润增长、客户导入、产品升级的正向循环。
