全球半导体制造领域迎来重要突破，英特尔代工在先进制程技术上实现关键进展。据最新披露，该企业已基于Intel 18A工艺节点，运用阿斯麦（ASML）研发的高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV）技术，成功量产部分Intel Core Ultra Series 3（代号Panther Lake）处理器。这一成果使其成为全球首家达成High NA EUV逻辑芯片规模化出货的企业，标志着半导体制造技术向更高精度迈进。
技术验证方面，双方联合宣布，Intel 18A工艺中的部分关键层已完成High NA EUV设备的双重认证流程，产品良率已达到现有NXE EUV平台标准。这一数据表明，新一代光刻技术在实际生产环境中具备可靠性，为后续全制程应用奠定基础。英特尔代工团队表示，将持续优化该技术与现有工艺的融合，推动其在未来更先进制程节点中的普及。
行业动态方面，另一家半导体巨头台积电此前曾被传暂停对High NA EUV设备的投资。针对这一传闻，台积电董事长魏哲家在近期股东会上明确回应，称公司不仅已购入相关设备，且正通过技术攻关降低使用成本。他解释称，当前生产需求尚未达到必须启用该技术的阶段，但企业正从工艺优化、材料改进等维度提升设备效益，为未来量产做好准备。这一表态凸显了头部企业在技术路线选择上的差异化策略。
业内分析指出，High NA EUV技术通过提升光刻分辨率，可使芯片特征尺寸缩小至现有水平的70%左右，对延续摩尔定律具有战略意义。然而，单台设备造价超过1.5亿美元，且配套工艺开发成本高昂，成为制约其普及的主要因素。英特尔此次量产突破，或将加速供应链企业对该技术的投入，推动全球半导体制造竞争格局演变。
