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三星向英伟达供超六成V - NAND产能,加速V9、V10闪存产线与技术布局

时间:2026-07-22 23:12:09来源:快讯编辑:快讯

随着人工智能服务器市场的迅速扩张,存储需求正成为制约行业发展的关键因素。据行业消息,英伟达为应对日益增长的临时上下文数据处理需求,正加速推进其上下文内存存储(CMX)系统建设,而三星电子凭借在垂直NAND(V-NAND)领域的领先优势,已成为该系统最主要的闪存供应商。

CMX系统作为AI计算架构的核心组件,目前采用576块SSD构建存储集群,总容量达9600TB。行业预测显示,随着大模型训练规模持续扩大,CMX对NAND闪存的需求将在2026年突破3500万TB,2027年更将激增至1亿TB以上。这一增长趋势促使英伟达与三星深化合作,共同开发新一代存储解决方案。

三星电子在V-NAND技术领域持续突破,其最新量产的V9(286层)产品已占据总产能的60%,月产晶圆超过10万片,良品率稳定在80%以上。相较于前代V8产品,V9通过三维堆叠技术将存储密度提升显著,同时生产效率得到优化。这种技术优势使三星在全球NAND市场占据重要地位,预计2024年总产量将达2.5亿TB。

为满足英伟达对存储性能的严苛要求,三星正推进更先进的V10和V11技术研发。其中V10通过增加堆叠层数,可在相同物理空间内实现更高容量存储,有效缓解GPU处理过程中的数据溢出问题。而处于研发阶段的V11技术更将堆叠高度提升至500层,较V9实现近翻倍的存储密度提升,为未来CMX系统升级预留充足空间。

产业观察人士指出,三星与英伟达的合作模式正在重塑存储芯片供应链。通过深度绑定AI计算龙头企业的技术路线,三星不仅巩固了其在企业级SSD市场的领先地位,更开创了存储芯片与计算架构协同优化的新范式。这种技术融合趋势预计将在数据中心、自动驾驶等高算力领域产生连锁反应。

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